晶圓加熱盤也稱晶圓卡盤,在晶圓加工應用中可處理或固定晶圓或基板。它們是潔凈室工廠環(huán)境中晶圓制造和測試的關鍵組成部分。晶圓和基板處理步驟可包括薄拋光或化學機械平面化、薄膜沉積(PVD、CVD 或電沉積)、拋光、蝕刻、圖案化或光刻、光刻膠旋涂、離子注入、擴散和電介質薄膜生長的氧化。
晶圓卡盤也是制造過程中各種基板測試、計量和分析步驟的關鍵產品,例如光譜法或成分分析、平面度或彎曲度測量、表面粗糙度和波紋度計量、自動缺陷檢測、熱應力或熱循環(huán)測試和故障分析。晶圓和基板非常薄,因此像在傳統(tǒng)卡盤中那樣對邊緣夾持進行夾持會導致晶圓嚴重彎世或翹曲和損壞。常見的晶圓夾持技術包括真空、靜電、機械和磁力。無論夾持技術如何,都能提供所需的夾持均勻性,不會變形或損壞。
工作原理:
晶圓加熱盤通常采用電阻加熱或射頻加熱的方式,將電能轉化為熱能,以實現(xiàn)對晶圓的精確加熱。在電阻加熱中,電流通過加熱盤內部的導電路徑,產生熱量。而射頻加熱則是利用高頻電場使材料分子摩擦生熱。這些加熱方式能夠在短時間內將晶圓加熱到所需的高溫,以滿足諸如擴散、氧化等半導體制程步驟的要求。
技術特點:
溫度精確性與均勻性:重要的技術特點之一是其能夠提供非常精確和均勻的溫度分布。這是通過精密的溫度控制系統(tǒng)和優(yōu)化的加熱元件布局來實現(xiàn)的,確保了在整個晶圓表面上的溫度一致性。
快速響應:能夠快速響應溫度變化的需求,從而縮短了生產周期,提高了生產效率。
兼容性與適應性:產品設計得足夠靈活,可以適應不同尺寸和材料的晶圓,并與各種半導體加工設備兼容。
耐用性:在高溫、腐蝕性氣體的環(huán)境中長期工作,要求具備高度的耐用性和可靠性。因此,它們通常由耐高溫、耐腐蝕的材料制成,如高質量的石墨和特種合金。
規(guī)格:
外徑/寬度--外徑或寬度決定了可以夾持或夾持的晶圓或基板的尺寸。
長度--長度決定了可以夾持或夾持的晶圓或基板的尺寸。
平整度--平整度是一個重要的規(guī)格,通常以微米為單位。對于紫外光刻,聚焦需要具有高平坦度的晶圓卡盤。
溫度范圍--這表示熱卡盤可以提供的溫度控制范圍。溫度范圍表示卡盤可以在其中運行而不會損壞的溫度極限。溫度通常以攝氏度或華氏度表示。
熱穩(wěn)定性--熱穩(wěn)定性表示溫度控制水平,通常以攝氏度或華氏度表示。
熱均勻性--晶圓表面溫度控制的均勻性,通常以攝氏度或華氏度表示。具有高熱均勻性的熱卡盤不會有熱點或冷點。
電容--電容(微法拉)是電氣測試或探測中使用的卡盤的一個重要參數(shù)。低電容更適合測試或探測。
種類:
常溫卡盤--常溫卡盤或非熱卡盤在室溫下運行,沒有加熱或冷卻功能。
熱卡盤--熱卡盤具有集成的加熱或冷卻功能,可在加工或測試過程中將晶圓或基板保持在特定溫度。
晶圓加熱盤常用材料:
鋁- 夾頭出鋁制成,鋁是一種相對柔軟、重量輕、非磁性、耐腐蝕的材料。鋁制卡盤用于避免損壞工件。鋁和鋁合金可以非常導熱和導電。
黃銅/青銅- 卡盤由黃銅或青銅制成或襯有黃銅或青銅。黃銅卡盤和青銅卡盤可避免工件損壞,同時仍提供適當?shù)膭傂院途_的夾持和定位。銅和一些銅合金可以非常導熱和導電。黃銅不適用于高真空和高溫室環(huán)境中的卡盤,因為鋅很容易蒸發(fā)。銅或低合金青銅材料在冷卻或加熱應用中會迅速導熱。
陶瓷- 陶瓷是在受控環(huán)境中通過礦物高溫熔化生產的材料,旨在賦予特定的物理和電氣特性。通常,陶瓷是電絕緣體或半導體,具有高抗熱擊穿、侵蝕和表面退化(例如,損壞或點蝕)的特性。陶瓷卡盤用于高度專業(yè)化的應用,例如加工過程中的半導體晶圓夾持。
電介質-夾頭由電介質或電絕緣材料制成。
導電-卡盤由導電材料制成。
玻璃-卡盤由玻璃材料制成。硅酸鹽玻璃在室溫下通常是電絕緣體。玻璃可以是透明的,這有助于通過卡盤對晶片進行感測或溫度測量。
金屬絕緣體--金屬晶圓卡盤上的絕緣體有一層石英、藍寶石、聚合物或玻璃粘合到金屬基底上。
磁性-吸盤由磁性或鐵磁性合金或材料制成,如果基板或晶圓具有磁性,則吸盤非常有用。
鎳- 鎳卡盤由鎳或鎳合金牌號制成。鎳具有導電性和磁性。
塑料--塑料卡盤非常柔軟。它們用于防止工件擦傷或損壞,以及用于需要具有良好電絕緣或熱絕緣材料的應用。
不銹鋼-不銹鋼卡盤由特定的耐腐蝕等級的鋼制成。通常,這些金屬要么是非磁性的,要么是磁性低于標準合金鋼的。不銹鋼導電,不太適合硬化和某些類型的表面精加工。
鋼--與其他材料相比,鋼缺乏耐腐蝕性和抗氧化性。碳鋼或合金鋼卡盤通常鍍鎳或鍍金以提供耐腐蝕表面。
鈦-鈦夾頭由鈦或鈦合金等級制成,例如商用純鈦或 T6AI-4V,它們是耐腐蝕的材料。鈦具有導電性和非磁性。